Стремясь продвигать вычисления нового поколения, центры обработки данных и приложения искусственного интеллекта, компания Samsung Electronics объявила сегодня о разработке своей 16-гигабитной (Гб) DDR5 DRAM, созданной с использованием первой в отрасли технологической технологии класса 12 нанометров (нм). а также завершение оценки продукта на совместимость с AMD.
Первая в отрасли память DDR5 DRAM, изготовленная по 12-нм техпроцессу, была разработана компанией Samsung в сотрудничестве с Advanced Micro Devices и AMD, лидером в области высокопроизводительных и адаптивных вычислений.
Первая DRAM-память DDR5 12-нм класса Технологии
Этот технологический прогресс стал возможен благодаря использованию нового высококачественного материала, повышающего емкость элементов, и запатентованной технологии проектирования, улучшающей ключевые свойства схемы. Новая DRAM имеет самую большую плотность кристаллов на рынке и сложную многослойную литографию в крайнем ультрафиолете (EUV), что позволяет увеличить производительность пластин на 20 процентов.
DRAM класса 12 нм от Samsung обеспечит скорость до 7,2 гигабит в секунду за счет использования новейшего стандарта DDR5 (Гбит/с). Это соответствует обработке двух фильмов UHD размером 30 ГБ за одну секунду.
DRAM: обеспечение исключительной скорости
Невероятная скорость новой DRAM дополняется улучшенной энергоэффективностью. DRAM-память класса 12 нм, которая потребляет до 23% меньше энергии, чем предыдущая DRAM, станет идеальным выбором для международных ИТ-организаций, стремящихся к более экологичной работе.
Продолжая сотрудничать с отраслевыми партнерами, чтобы обеспечить быстрое внедрение вычислений следующего поколения, Samsung планирует расширить линейку DRAM, построенную на этой передовой производственной технологии 12-нм класса, в самых разных секторах рынка, начиная с 2023 года.
DRAM: ключевой фактор развития рынка в целом
Говоря о новой DRAM, Джуён Лиисполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics, сказал, что это ключевой фактор в стимулировании широкого внедрения DDR5 DRAM на рынке.
«Наша 12-нанометровая память DRAM станет ключевым фактором, способствующим повсеместному внедрению DDR5 DRAM», — сказал Джуён. «Мы ожидаем, что благодаря исключительной производительности и энергоэффективности наша новая память DRAM послужит основой для более устойчивых операций в таких областях, как вычисления нового поколения, центры обработки данных и системы на базе искусственного интеллекта».
С другой стороны, Джо Макристарший вице-президент, корпоративный научный сотрудник и технический директор по клиентским вычислениям и графике AMD, заявили, что они очень рады сотрудничеству с Samsung в представлении продуктов памяти DDR5.
«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий», — сказал Джо Макри. «Мы очень рады вновь сотрудничать с Samsung, в частности, по внедрению продуктов памяти DDR5, оптимизированных и проверенных на платформах Zen».