Прогресс IBM и Samsung в разработке чипов может привести к недельному сроку службы батареи

Технологические компании IBM и Samsung совместно продемонстрировали значительный прогресс в разработке полупроводников, благодаря которому батареи мобильных телефонов могут работать неделю без подзарядки.

IBM и Samsung работают над вертикальным расположением полупроводниковых транзисторов, чтобы освободить больше места на кремнии.

Новая конструкция, называемая вертикальными транспортными полевыми транзисторами или сокращенно VTFET, представляет собой новый тип транзистора, который можно более плотно разместить на компьютерном чипе по сравнению с FinFET-транзистором (плавниковым полевым транзистором).

«В этих передовых узлах можно использовать VTFET для обеспечения двукратного увеличения производительности до 85-процентного снижения энергопотребления по сравнению с масштабируемой альтернативой finFET», — IBM.

VTFET направляет электрический ток вертикально, что может помочь повысить скорость переключения транзисторов и снизить энергопотребление.

«Мы считаем, что конструкция VTFET представляет собой огромный скачок вперед к созданию транзисторов следующего поколения, которые позволят в ближайшие годы создавать более компактные, более мощные и энергоэффективные устройства», — добавили в IBM.

Компании, однако, не сообщили, когда технология VTFET станет официальным процессом производства чипов.

Привлеките нашу аудиторию своей рекламой

Реклама на TechGenyz дает результаты. Создайте свой бренд, увеличьте посещаемость веб-сайта, привлекайте потенциальных клиентов и стимулируйте действия с нашей аудиторией. Выберите идеальные рекламные решения для вашего бренда.